LED UV de alta potência de 3 W 1 em 1 (1 chip em 1 LED) Art.No.:LDBL35WX06LBL01

O substrato condutor térmico de nitreto pode conduzir rapidamente o calor do chip; o encapsulamento de vidro de quartzo altamente transparente garante uma saída de luz eficiente e aumenta a estabilidade desta série de produtos. A estrutura de chip único é conveniente para diversas estruturas de matriz e projetos ópticos, com alta saída de energia e alta confiabilidade.

Características

-Estrutura de chip único;

-Substrato de nitreto de alumínio, lente hemisférica de quartzo;

-Alta potência de saída;

-Alta confiabilidade e estabilidade;

-Suporta qualquer serviço de personalização de comprimento de onda.

Ficha técnica 1,165.7 KB/PDF

Packaging short form	SMD3535
Peak wavelength	435±5nm
Forward voltage	2.8-3.8V
Type forward current	500mA
Max forward current	700mA
Type Power	3W
Radiation energy	520-650mW
half view angle	60°
Package size	3.5*3.5mm
Packing Mat.	ALN+Quartz
Type	UVA

Especificações
Características
Contorno dimensional (unidade: mm)

Especificações

Classificações máximas absolutas

Itens	Símbolos	âmbito	Unidade
Corrente Direta	If	<750	mA
Dissipação de energia	Pd	3	W
Temperatura de operação	Topr	-10~+85	℃
Temperatura de armazenamento	Tstg	-40-+100	℃
Temperatura da junção	Tj	<125	℃
Temperatura de Soldagem	JEDEC-J-STD-020D
Classificação ESD	Class 2(JESD22-A114)

*1: The exposure to the absolute maximum rated conditions may affect device reliability.

*2: The Leds are not designed to be driven in reverse bias.

Características Eletro-Ópticas

Itens	Símbolos	Condição	Especificação			Unidade
Itens	Símbolos	Condição	Min	Typ.	Max	Unidade
Tensão direta	Vf	If=700mA	2.8	-	3.8	V
Fluxo Radiante	Øe		520	-	650	mW
Comprimento de onda de pico	λp		430	435	440	nm
Largura do espectro meia	△λ		/	10	/	nm
Ângulo de visão	2θ1/2		/	60	/	deg
Resistência térmica	Rth j-c		/	4.5	/	℃/W

*1: Thess values are measured by Raytron within the following tolerances:

※ Forward Voltage:±0.1V ※Peakwavelength:±3nm ※Radiant Flux:±10%;

*2: Some values may vary slightly depending on the conditions of the test equipments .

Características

Características optoeletrônicas

※ Os dados acima são baseados nos resultados de testes dos fabricantes de chips e serão atualizados continuamente, podendo haver diferenças iterativas. Os fabricantes reservam-se o direito de se justificar.