Estrutura de embalagem de LED UV de alta potência de 3 W (1 em 1)Art.No.:LDUVA35WX12TL00

Substrato condutor de calor de nitreto, capaz de transmitir rapidamente o calor do chip; Lente de silicone moldada em peça única, altamente transparente e resistente a UV, garante saída de luz eficiente e aumenta a estabilidade desta série de produtos. A estrutura de chip único de alta potência e o amplo ângulo de 120° proporcionam flexibilidade e conveniência para o design óptico.

Características

- Encapsulamento semicondutor de chip único;

- Alta potência e saída de energia;

- Alta confiabilidade e estabilidade;

- Lente de silicone resistente a UV de alta transmitância de luz, substrato de nitreto.

Ficha técnica 1,165.1 KB/PDF

Packaging short form	SMD3535
Peak wavelength	385±2.5nm
Forward voltage	3.2-3.8V
Type forward current	500mA
Max forward current	700mA
Type Power	3W
Radiation energy	1150-1360mW
half view angle	120°
Package size	3.5*3.5mm
Packing Mat.	ALN+Silicon
Type	UVA

Especificações
Características
Contorno dimensional (unidade: mm)

Especificações

Classificações máximas absolutas

Itens	Símbolos	âmbito	Unidade
Corrente Direta	If	<700	mA
Dissipação de energia	Pd	3	W
Temperatura de operação	Topr	-10~+85	℃
Temperatura de armazenamento	Tstg	-40-+100	℃
Temperatura da junção	Tj	<125	℃
Temperatura de Soldagem	JEDEC-J-STD-020D
Classificação ESD	Class 2(JESD22-A114)

*1: A exposição às condições nominais máximas absolutas pode afetar a confiabilidade do dispositivo.

*2: Os LEDs não foram projetados para serem acionados em polarização reversa.

Características Eletro-Ópticas

Itens	Símbolos	Condição	Especificação			Unidade
Itens	Símbolos	Condição	Min	Typ.	Max	Unidade
Tensão direta	Vf	If=700mA	3.2	-	3.8	V
Fluxo Radiante	Øe		1150	-	1360	mW
Comprimento de onda de pico	λp		380	385	390	nm
Largura do espectro meia	△λ		/	10	/	nm
Ângulo de visão	2θ1/2		/	120	/	deg
Resistência térmica	Rth j-c		/	4.5	/	℃/W

*1: Estes valores são medidos pela Raytron dentro das seguintes tolerâncias:

※ Tensão Direta: ±0,1V ※ Comprimento de onda de pico: ±3nm ※ Fluxo Radiante: ±10%;

*2: Alguns valores podem variar ligeiramente dependendo das condições dos equipamentos de teste.

Características

Características Optoeletrônicas

※ Os dados acima são baseados nos resultados de testes dos fabricantes de chips e serão atualizados continuamente, podendo haver diferenças iterativas. Os fabricantes reservam-se o direito de se justificar.